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富联娱乐登录:HBM3e 今年将成主流,产能挤占将导致下半年 DRAM 供不应求

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  • 2024-05-22 07:11:06
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摘要: IT之家 5 月 21 日消息,业内消息称三星、SK 海力士和美光都在积极投资高带宽内存(HBM),而由于产能挤占效应,下半年...

IT之家 5 月 21 日消息,业内消息称三星、SK 海力士和美光都在积极投资高带宽内存(HBM),而由于产能挤占效应,下半年 DRAM 产品可能会面临短缺。

富联娱乐登录:HBM3e 今年将成主流,产能挤占将导致下半年 DRAM 供不应求

集邦咨询在报告中认为,三大 DRAM 供应商正在增加先进工艺的晶圆投入。随着存储器合同价格的上涨,各公司都加大了资本投资力度,今年下半年将重点扩大产能,预计到今年年底,1α nm 及以上工艺的晶圆投入量将占 DRAM 晶圆总投入量的约 40%。

由于 HBM 的盈利能力和不断增长的需求,厂商优先考虑生产 HBM,HBM3e 将成为今年的市场主流,出货量将集中在下半年。

由于 HBM3e 的出货量预计将集中在下半年,恰逢内存需求旺季,市场对 DDR5 和 LPDDR5 (X) 的需求预计也将增加。

由于分配给 HBM 生产的晶圆投入比例较高,先进工艺的产出将受到限制。因此,下半年的产能分配将是决定供应能否满足需求的关键。

IT之家简要汇总下厂商情况如下:三星预计现有设施将于 2024 年底全部满负荷运转,新的 P4L 工厂预计将于 2025 年竣工,而 15 号生产线工厂将从 1Y 纳米过渡到 1beta 纳米及以上的工艺。

SK 海力士计划明年扩大 M16 工厂的产能,而 M15X 工厂也计划于 2025 年竣工,并于明年年底开始量产。

各主要制造商都将投资 HBM4 的开发,在产能规划中优先考虑 HBM。因此,由于产能拥挤效应,DRAM 供应可能会出现短缺。

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